〔記者楊伶雯╱台北報導〕聯電6日宣佈與意法半導體合作65奈米CMOS影像感測器背面照度BSI技術。雙方先前已順利在聯電新加坡Fab 12i廠產出意法半導體的前面照度式FSI製程,這次合作將更進一步擴展兩家公司的夥伴關係。
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